Architecture du sous-système de mémoire, Système de mémoire, Architecture du sous – HP Serveur lame HP ProLiant BL620c G7 Manuel d'utilisation

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(4A/5A, 12B/16B, 2C/7C et 10D/14D) correspondantes à condition qu'ils soient installés au
point de fin du canal DDR3.

Les modes AMP ECC avancé, DDDC, HP Memory Quarantine, de secours en ligne et de mémoire
en miroir ont des exigences allant au-delà de celles indiquées ici. Pour connaître les exigences
supplémentaires de configuration de mémoire, reportez-vous aux sections AMP correspondantes :

Instructions de remplissage en mode ECC avancé (

Instructions de remplissage en mode ECC

avancé à la page 42

)

Double Device Data Correction (Double correction de données de périphérique) (

Double

Device Data Correction (Double correction de données de périphérique) à la page 42

)

HP Memory Quarantine (

HP Memory Quarantine à la page 42

)

Instructions de remplissage de la mémoire de secours en ligne (

Instructions de remplissage

de la mémoire de secours en ligne à la page 43

)

Instructions de remplissage en mode mémoire mise en miroir (

Instructions relatives au

remplissage en mode mémoire mise en miroir à la page 44

)

Architecture du sous-système de mémoire

L'architecture de mémoire des processeurs de la gamme Intel® Xeon® E7 et 6500/7500 est conçue
pour tirer parti des multiples étapes de l'entrelacement de mémoire dans le but de réduire la latence et
d'augmenter la bande passante.

Chaque processeur de la gamme Intel Xeon E7 et 6500/7500 contient deux contrôleurs de mémoire
comme illustré ci-dessous. Chaque contrôleur de mémoire comporte deux bus SMI fonctionnant en
mode Lockstep. Chaque bus SMI se connecte à un SMB ou tampon comme illustré ci-dessous. Le
tampon convertit les signaux SMI en signaux DDR3 et développe la capacité de mémoire du système.
Chaque tampon dispose de deux canaux DDR3 et peut prendre en charge jusqu'à quatre modules
DIMM pour un total de 16 modules DIMM par processeur ou 32 modules DIMM par lame de serveur
HP ProLiant BL620c G7 avec les deux processeurs installés.

La vitesse de la mémoire n'est pas affectée par le nombre de modules DIMM, de rangées ou la tension.
Tous les modules DIMM fonctionnent à la vitesse la plus élevée possible pour un processeur donné.

La vitesse de mémoire DDR3 est une fonction de la vitesse de bus QPI prise en charge par le
processeur :

Les processeurs d'une vitesse QPI de 6,4 GT/s exécutent la mémoire à 1066 MT/s.

Les processeurs d'une vitesse QPI de 5,6 GT/s exécutent la mémoire à 978 MT/s.

Les processeurs d'une vitesse QPI de 4,8 GT/s exécutent la mémoire à 800 MT/s.

Les lignes de cache successives sont entrelacées entre les modules DIMM et les canaux SMI Lockstep
des deux contrôleurs de mémoire dans le processeur de telle sorte que les lignes de cache adjacentes
résident sur différents contrôleurs de mémoire, SMI, modules DIMM et rangées DIMM pour de
meilleures performances. Pour tirer parti de cette fonction, les modules DIMM doivent être placés
équitablement entre tous les canaux SMI. Si une paire de canaux SMI comporte plus de modules DIMM
que les autres, la mémoire supplémentaire sur cette paire de canaux SMI ne bénéficie pas du
mécanisme d'entrelacement parmi les contrôleurs de mémoire.

Architecture de mémoire pour processeur 1

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Chapitre 4 Installation des options matérielles

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