Configuration en mode mémoire ecc avancé, Configuration en mode mémoire mise en miroir, Configuration de mémoire en mode lockstep – HP Station de travail lame HP ProLiant WS460c G6 Manuel d'utilisation

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Configuration en mode mémoire ECC avancé

Le mode mémoire ECC avancé est le mode de protection de mémoire par défaut de cette lame de
poste de travail. Le mode ECC standard peut corriger les erreurs de mémoire monobit et détecter les
erreurs de mémoire multibit. Lorsque le mode mémoire ECC standard détecte une erreur sur
plusieurs bits, l'erreur est signalée à la lame de poste de travail et provoque un arrêt du serveur.

Le mode mémoire ECC avancé protège la lame de poste de travail de certaines erreurs mémoire sur
plusieurs bits. Il peut corriger les erreurs de mémoire monobit et les erreurs de mémoire 4 bits si tous
les bits défectueux sont sur le même périphérique DRAM du module DIMM.

Le mode ECC avancé fournit une protection supplémentaire par rapport au mode ECC standard car il
permet de corriger certaines erreurs mémoire qui, faute de correction, provoqueraient une panne au
niveau de la lame de poste de travail. La lame de poste de travail fournit une notification indiquant
que les événements d'erreurs ont dépassé un seuil prédéfini.

Configuration en mode mémoire mise en miroir

La mise en miroir offre une protection contre les erreurs mémoire non corrigées qui, faute de
correction, risqueraient d'entraîner l'arrêt de la lame de poste de travail. La mise en miroir est assurée
au niveau des canaux. Les canaux 1 et 2 sont utilisés, le canal 3 n'est pas rempli.

Les données sont écrites dans les deux canaux de mémoire. Elles sont lues dans l'un des deux
canaux de mémoire. Si une erreur non corrigible est détectée dans le canal de mémoire actif, les
données sont récupérées dans le canal de mise en miroir. Ce canal devient alors le nouveau canal
actif et le système désactive le canal dont le module DIMM est défaillant.

Configuration de mémoire en mode Lockstep

Le mode Lockstep fournit une protection contre les erreurs de mémoire multibit qui se produisent sur
le même périphérique DRAM. Le mode Lockstep peut corriger tous les défauts d'un
périphérique DRAM unique sur des types de modules DIMM x4 et x8. Les modules DIMM dans
chaque canal doivent avoir des références HP identiques.

Le mode Lockstep utilise les canaux 1 et 2. Le canal 3 n'est pas rempli. Dans la mesure où le
canal 3 ne peut pas être rempli lors de l'utilisation du mode Lockstep, la capacité maximum de
mémoire est inférieure à celle en mode ECC avancé. Les performances de mémoire en mode ECC
avancé sont également légèrement supérieures.

Instructions générales de remplissage des connecteurs DIMM

Respectez les instructions suivantes pour tous les modes AMP :

Remplissez les connecteurs DIMM pour un processeur uniquement si le processeur est installé.

Pour maximiser les performances dans des configurations multiprocesseur, distribuez la
capacité totale de mémoire entre tous les processeurs aussi équitablement que possible.

Ne combinez pas des modules DIMM PC3 non tamponnés et enregistrés.

Chaque canal prend en charge jusqu'à deux modules DIMM non tamponnés.

Si des modules DIMM quadruple rangée sont installés pour un processeur, vous pouvez installer
deux modules DIMM au maximum sur chaque canal pour ce processeur.

Si un canal contient des modules DIMM quadruple rangée, ces modules doivent être installés en
premier sur ce canal.

Les vitesses de module DIMM sont prises en charge tel qu'indiqué dans le tableau suivant.

FRWW

Options de mémoire

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